GL Chips ra mắt bộ chuyển đổi hai chiều dựa trên GaN công suất 2kW, thiết lập tiêu chuẩn mới về mật độ công suất và hiệu suất.
GL Chips ra mắt bộ chuyển đổi hai chiều dựa trên GaN công suất 2kW, thiết lập tiêu chuẩn mới về mật độ công suất và hiệu suất.
Tây An, Trung Quốc– GL Chips, một công ty tiên phong trong lĩnh vực giải pháp bán dẫn công suất cao, hôm nay đã công bố ra mắt thiết kế tham chiếu đột phá INNDAD3K0A1: bộ chuyển đổi hai chiều 2kW, 48V được thiết kế cho hệ thống lưu trữ năng lượng di động thế hệ tiếp theo và hệ thống điện công nghiệp. Bản demo này thể hiện hiệu suất vượt trội của công nghệ GaN (Gallium Nitride) của GL Chips, đạt hiệu suất đỉnh trên 96% và mật độ công suất đáng kể, cho phép thiết kế nhỏ gọn hơn, mạnh mẽ hơn và hiệu quả hơn.
Hiệu năng vượt trội cho các ứng dụng đòi hỏi cao.
Thiết kế tham chiếu INNDAD3K0A1 thiết lập một tiêu chuẩn mới trong ngành với các chỉ số hiệu năng vượt trội:
-
Hiệu suất tối đa đạt 96,1%ở Chế độ chỉnh lưu (chuyển đổi AC sang DC).
-
Hiệu suất tối đa đạt 96,0%ở Chế độ Biến tần (chuyển đổi DC sang AC).
-
Mật độ công suất cao 2,447 W/in³Điều này đạt được với kích thước PCBA nhỏ gọn là 248mm x 120mm x 45mm.
Sự kết hợp giữa hiệu suất cao và kích thước nhỏ gọn này rất quan trọng đối với các ứng dụng như trạm điện di động, hệ thống lưu trữ năng lượng mặt trời và nguồn điện công nghiệp hai chiều, nơi mà từng phần trăm hiệu suất và từng inch khối không gian đều có ý nghĩa.
Được chế tạo bằng công nghệ GaN tiên tiến.
Thiết kế tham chiếu tận dụng cấu trúc liên kết tiên tiến "Totem-Pole PFC + Isolated Full-Bridge LLC", được thực hiện nhờ khả năng chuyển mạch nhanh của các FET GaN của GL Chips. Các thiết bị chính bao gồm...INN650TA030C(650V, 26mΩ) cho tầng PFC vàINN650TA050C(650V, 50mΩ) cho tầng LLC, hoạt động ở tần số lần lượt là 65kHz và 200kHz.
So với các MOSFET dựa trên silicon truyền thống, công nghệ GaN của GL Chips mang lại những ưu điểm vượt trội:
-
Điện tích cổng cực thấp (Qg)Giảm thiểu việc chuyển mạch và tổn thất trình điều khiển.
-
Khôi phục ngược bằng không (Qrr)Cho phép hoạt động hiệu quả cao trong chế độ dẫn liên tục (CCM) của mạch PFC kiểu totem-pole, một thách thức đối với silicon.
-
Điện dung đầu ra thấp hơn (Coss)Giảm thiểu thời gian chết và cho phép hoạt động ở tần số cao hơn.
Những đặc điểm này là nền tảng để đạt được hiệu suất và mật độ công suất kỷ lục của thiết kế.
Hỗ trợ thiết kế toàn diện để nhanh chóng đưa sản phẩm ra thị trường
GL Chips cung cấp tài liệu đầy đủ để đẩy nhanh chu kỳ thiết kế của khách hàng, bao gồm cả hướng dẫn sử dụng chi tiết với:
-
Sơ đồ mạch điện hoàn chỉnh và danh sách vật liệu (BOM).
-
Hướng dẫn bố trí mạch in (PCB) để đạt hiệu suất tản nhiệt và chống nhiễu điện từ tối ưu.
-
Các yếu tố thiết kế quan trọng cần xem xét đối với việc điều khiển cổng GaN và quản lý nhiệt.
-
Kết quả kiểm tra toàn diện, bao gồm đường cong hiệu suất và hình ảnh nhiệt dưới tải trọng tối đa.
Ứng dụng mục tiêu:
-
Hệ thống lưu trữ năng lượng di động
-
Biến tần năng lượng mặt trời và biến tần vi mô
-
Nguồn điện AC-DC hai chiều
-
Hệ thống điện công nghiệp
Tính khả dụng
Mẫu thiết kế tham chiếu bộ chuyển đổi hai chiều INNDAD3K0A1 2kW hiện đã có sẵn để đánh giá và cấp phép. Để biết thêm thông tin và yêu cầu tài liệu hướng dẫn dùng thử, vui lòng truy cập trang web của GL Chips.
Giới thiệu về GL Chips:
GL Chips là nhà sản xuất và cung cấp hàng đầu các chất bán dẫn công suất cao, các giải pháp tần số vô tuyến (RF) tiên tiến, và các cảm biến MEMS và quán tính độ chính xác cao. Công ty cam kết cung cấp công nghệ mạnh mẽ, đổi mới, hỗ trợ các hệ thống quan trọng của tương lai, từ thiết bị điện tử tiêu dùng đến hàng không vũ trụ và quốc phòng.