Компания GL Chips представила двунаправленный преобразователь на основе GaN мощностью 2 кВт, устанавливающий новый стандарт плотности мощности и эффективности.

Компания GL Chips представила двунаправленный преобразователь на основе GaN мощностью 2 кВт, устанавливающий новый стандарт плотности мощности и эффективности.

Сиань, Китай– Компания GL Chips, пионер в области передовых полупроводниковых решений для силовых устройств, сегодня объявила о выпуске своей революционной эталонной конструкции INNDAD3K0A1: двунаправленного преобразователя мощностью 2 кВт и напряжением 48 В, разработанного для портативных систем хранения энергии следующего поколения и промышленных силовых систем. Эта демонстрация показывает превосходные характеристики технологии GaN (нитрид галлия) от GL Chips, достигая пиковой эффективности более 96% и замечательной плотности мощности, что позволяет создавать более компактные, мощные и эффективные конструкции.

Непревзойденная производительность для требовательных приложений.

Эталонная конструкция INNDAD3K0A1 устанавливает новый отраслевой стандарт благодаря исключительным показателям производительности:

• Максимальная эффективность 96,1%в режиме выпрямителя (преобразование переменного тока в постоянный).

• Максимальная эффективность 96,0%.в инверторном режиме (преобразование постоянного тока в переменный).

• Высокая удельная мощность 2,447 Вт/дюйм³Это достигается за счет компактных размеров печатной платы: 248 мм x 120 мм x 45 мм.

Такое сочетание высокой эффективности и компактного форм-фактора имеет решающее значение для таких применений, как портативные электростанции, системы хранения солнечной энергии и двунаправленные промышленные источники питания, где важен каждый процент эффективности и каждый кубический дюйм пространства.

Разработано с использованием передовой технологии GaN.

В эталонной схеме используется усовершенствованная топология "Totem-Pole PFC + Isolated Full-Bridge LLC", ставшая возможной благодаря быстродействующим GaN-транзисторам GL Chips. Ключевые компоненты включают в себя:INN650TA030C(650 В, 26 мОм) для каскада коррекции коэффициента мощности иINN650TA050C(650 В, 50 мОм) для каскада LLC, работающего на частотах 65 кГц и 200 кГц соответственно.

По сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET-транзисторами, технология GaN от GL Chips предлагает решающие преимущества:

• Чрезвычайно низкий заряд затвора (Qg): Снижает потери при переключении и в работе драйверов.

• Нулевое обратное восстановление (Qrr)Обеспечивает высокоэффективную работу в режиме непрерывной проводимости (CCM) с двухполюсной коррекцией коэффициента мощности, что является сложной задачей для кремниевых чипов.

• Меньшая выходная емкость (Coss): Минимизирует требования к мертвому времени и позволяет работать на более высокой частоте.

Эти характеристики имеют основополагающее значение для достижения рекордной эффективности и удельной мощности данной конструкции.

Комплексная поддержка проектирования для быстрого внедрения на рынке.

Компания GL Chips предоставляет обширную документацию для ускорения циклов проектирования заказчиков, включая подробное руководство по демонстрации, содержащее:

• Полная принципиальная схема и спецификация материалов (BOM).

• Рекомендации по компоновке печатной платы для достижения оптимальных тепловых характеристик и защиты от электромагнитных помех.

• Ключевые аспекты проектирования систем управления затвором на основе нитрида галлия (GaN) и теплоотвода.

• Подробные результаты испытаний, включая кривые эффективности и тепловизионные снимки при полной нагрузке.

Целевые области применения:

• Портативные системы хранения энергии

• Солнечные инверторы и микроинверторы

• Двунаправленные источники питания переменного/постоянного тока

• Промышленные энергетические системы

Доступность

Эталонный проект двунаправленного преобразователя INNDAD3K0A1 мощностью 2 кВт теперь доступен для оценки и лицензирования. Для получения дополнительной информации и запроса руководства по эксплуатации посетите веб-сайт GL Chips.

О компании GL Chips:

GL Chips — ведущий производитель и поставщик высокопроизводительных силовых полупроводников, передовых радиочастотных (РЧ) решений, а также высокоточных MEMS- и инерциальных датчиков. Компания стремится создавать надежные и инновационные технологии, которые будут обеспечивать работу важнейших систем будущего, от бытовой электроники до аэрокосмической и оборонной промышленности.