A GL Chips apresenta um conversor bidirecional de 2 kW baseado em GaN, estabelecendo um novo padrão de referência para densidade de potência e eficiência.

A GL Chips apresenta um conversor bidirecional de 2 kW baseado em GaN, estabelecendo um novo padrão de referência para densidade de potência e eficiência.

Xi'an, ChinaA GL Chips, pioneira em soluções avançadas de semicondutores de potência, anunciou hoje o lançamento de seu inovador projeto de referência INNDAD3K0A1: um conversor bidirecional de 2 kW e 48 V projetado para sistemas de armazenamento de energia portáteis e de energia industrial de última geração. Esta demonstração evidencia o desempenho superior da tecnologia GaN (nitreto de gálio) da GL Chips, atingindo eficiências máximas acima de 96% e uma notável densidade de potência que possibilita projetos menores, mais potentes e mais eficientes.

Desempenho incomparável para aplicações exigentes

O projeto de referência INNDAD3K0A1 estabelece um novo padrão na indústria com suas métricas de desempenho excepcionais:

• Eficiência máxima de 96,1%No modo retificador (conversão CA para CC).

• Eficiência máxima de 96,0%No modo inversor (conversão de CC para CA).

• Alta densidade de potência de 2,447 W/pol³, conseguido com uma placa de circuito impresso (PCBA) compacta de 248 mm x 120 mm x 45 mm.

Essa combinação de alta eficiência e formato compacto é fundamental para aplicações como estações de energia portáteis, sistemas de armazenamento de energia solar e fontes de alimentação industriais bidirecionais, onde cada ponto percentual de eficiência e cada centímetro cúbico de espaço contam.

Projetado com tecnologia GaN avançada

O projeto de referência utiliza uma topologia avançada "Totem-Pole PFC + Isolated Full-Bridge LLC", possibilitada pela capacidade de comutação rápida dos FETs de GaN da GL Chips. Os principais dispositivos incluem oINN650TA030C(650V, 26mΩ) para o estágio PFC e oINN650TA050C(650V, 50mΩ) para o estágio LLC, operando a 65kHz e 200kHz respectivamente.

Em comparação com os MOSFETs tradicionais baseados em silício, a tecnologia GaN da GL Chips oferece vantagens decisivas:

• Carga de porta extremamente baixa (Qg): Reduz as perdas por comutação e por driver.

• Recuperação reversa zero (Qrr)Permite uma operação altamente eficiente no modo de condução contínua (CCM) do PFC totem-pole, um desafio para o silício.

• Capacitância de saída inferior (Coss)Minimiza os requisitos de tempo morto e permite operação com maior frequência.

Essas características são fundamentais para alcançar a eficiência e a densidade de potência recordes do projeto.

Suporte abrangente de design para rápida adoção pelo mercado

A GL Chips fornece ampla documentação para acelerar os ciclos de projeto dos clientes, incluindo um manual de demonstração detalhado com:

• Diagrama esquemático completo e lista de materiais (BOM).

• Diretrizes de layout de PCB para desempenho térmico e EMI ideais.

• Principais considerações de projeto para acionamento de gate e gerenciamento térmico de GaN.

• Resultados de testes abrangentes, incluindo curvas de eficiência e imagens térmicas sob carga máxima.

Aplicações-alvo:

• Sistemas portáteis de armazenamento de energia

• Inversores solares e microinversores

• Fontes de alimentação CA-CC bidirecionais

• Sistemas de energia industrial

Disponibilidade

O projeto de referência do conversor bidirecional INNDAD3K0A1 de 2 kW já está disponível para avaliação e licenciamento. Para obter mais informações e solicitar o manual de demonstração, visite o site da GL Chips.

Sobre os chips GL:

A GL Chips é uma fabricante e fornecedora líder de semicondutores de potência de alto desempenho, soluções de radiofrequência (RF) de ponta e sensores MEMS e inerciais de alta fidelidade. A empresa se dedica a fornecer tecnologia robusta e inovadora que alimenta os sistemas críticos do futuro, desde eletrônicos de consumo até aeroespacial e defesa.