GL Chips onthult een 2 kW bidirectionele GaN-converter die een nieuwe maatstaf zet voor vermogensdichtheid en efficiëntie.

GL Chips onthult een 2 kW bidirectionele GaN-converter die een nieuwe maatstaf zet voor vermogensdichtheid en efficiëntie.

Xi'an, China– GL Chips, een pionier op het gebied van geavanceerde vermogenshalfgeleideroplossingen, heeft vandaag de release aangekondigd van zijn baanbrekende INNDAD3K0A1 referentieontwerp: een 2 kW, 48 V bidirectionele converter, ontworpen voor de volgende generatie draagbare energieopslag en industriële voedingssystemen. Deze demo toont de superieure prestaties van GL Chips' GaN (galliumnitride) technologie, met piekrendementen van meer dan 96% en een opmerkelijke vermogensdichtheid die kleinere, krachtigere en efficiëntere ontwerpen mogelijk maakt.

Ongeëvenaarde prestaties voor veeleisende toepassingen

Het INNDAD3K0A1 referentieontwerp zet een nieuwe industriestandaard met zijn uitzonderlijke prestatiecijfers:

• Maximaal rendement van 96,1%in gelijkrichtermodus (wisselstroom-naar-gelijkstroomomzetting).

• Maximaal rendement van 96,0%in invertermodus (gelijkstroom naar wisselstroomconversie).

• Hoge vermogensdichtheid van 2,447 W/in³Dit is bereikt met een compacte printplaat van 248 mm x 120 mm x 45 mm.

Deze combinatie van hoog rendement en compact formaat is cruciaal voor toepassingen zoals draagbare energiecentrales, systemen voor de opslag van zonne-energie en bidirectionele industriële voedingen, waar elke procentpunt efficiëntie en elke kubieke centimeter ruimte telt.

Ontwikkeld met geavanceerde GaN-technologie.

Het referentieontwerp maakt gebruik van een geavanceerde "Totem-Pole PFC + Isolated Full-Bridge LLC"-topologie, mogelijk gemaakt door de snelle schakelmogelijkheden van de GaN FET's van GL Chips. Belangrijke componenten zijn onder andere deINN650TA030C(650V, 26mΩ) voor de PFC-trap en deINN650TA050C(650V, 50mΩ) voor de LLC-trap, werkend op respectievelijk 65kHz en 200kHz.

Vergeleken met traditionele op silicium gebaseerde MOSFET's biedt de GaN-technologie van GL Chips doorslaggevende voordelen:

• Extreem lage poortlading (Qg)Vermindert schakel- en aansturingsverliezen.

• Nul terugslag (Qrr)Maakt een zeer efficiënte werking mogelijk in de continue geleidingsmodus (CCM) van de totempaal-PFC, een uitdaging voor silicium.

• Lagere uitgangscapaciteit (Coss)Minimaliseert de benodigde dode tijd en maakt een hogere frequentie mogelijk.

Deze eigenschappen zijn essentieel voor het behalen van de recordbrekende efficiëntie en vermogensdichtheid van het ontwerp.

Uitgebreide ontwerpbegeleiding voor snelle marktacceptatie

GL Chips biedt uitgebreide documentatie om de ontwerpprocessen van klanten te versnellen, waaronder een gedetailleerde demohandleiding met:

• Compleet schema en materiaallijst (BOM).

• Richtlijnen voor PCB-lay-out voor optimale thermische en EMI-prestaties.

• Belangrijke ontwerpoverwegingen voor GaN-gate-aansturing en thermisch beheer.

• Uitgebreide testresultaten, inclusief efficiëntiecurves en thermische beeldvorming onder volledige belasting.

Doeltoepassingen:

• Draagbare energieopslagsystemen

• Zonne-omvormers en micro-omvormers

• Bidirectionele AC-DC-voedingen

• Industriële energiesystemen

Beschikbaarheid

Het INNDAD3K0A1 2kW bidirectionele converter referentieontwerp is nu beschikbaar voor evaluatie en licentieverlening. Ga voor meer informatie en om de demohandleiding aan te vragen naar de website van GL Chips.

Over GL Chips:

GL Chips is een toonaangevende fabrikant en leverancier van hoogwaardige vermogenshalfgeleiders, geavanceerde radiofrequentieoplossingen (RF) en zeer nauwkeurige MEMS- en inertiële sensoren. Het bedrijf zet zich in voor het leveren van robuuste, innovatieve technologie die de cruciale systemen van morgen aandrijft, van consumentenelektronica tot lucht- en ruimtevaart en defensie.