GL Chips presenta un convertitore bidirezionale da 2 kW basato su GaN, che stabilisce un nuovo punto di riferimento per densità di potenza ed efficienza.

GL Chips presenta un convertitore bidirezionale da 2 kW basato su GaN, che stabilisce un nuovo punto di riferimento per densità di potenza ed efficienza.

Xi'an, Cina– GL Chips, azienda pionieristica nelle soluzioni avanzate di semiconduttori di potenza, ha annunciato oggi il rilascio del suo innovativo progetto di riferimento INNDAD3K0A1: un convertitore bidirezionale da 2 kW e 48 V progettato per i sistemi di accumulo di energia portatili di nuova generazione e per i sistemi di alimentazione industriali. Questa demo mette in mostra le prestazioni superiori della tecnologia GaN (nitruro di gallio) di GL Chips, raggiungendo efficienze di picco superiori al 96% e una notevole densità di potenza che consente la realizzazione di progetti più piccoli, potenti ed efficienti.

Prestazioni ineguagliabili per applicazioni esigenti

Il progetto di riferimento INNDAD3K0A1 stabilisce un nuovo standard di settore grazie alle sue eccezionali prestazioni:

• Efficienza di picco del 96,1%in modalità raddrizzatore (conversione da CA a CC).

• Efficienza di picco del 96,0%in modalità Inverter (conversione da CC a CA).

• Elevata densità di potenza pari a 2,447 W/in³, ottenuto con una dimensione compatta del PCBA di 248 mm x 120 mm x 45 mm.

Questa combinazione di elevata efficienza e dimensioni compatte è fondamentale per applicazioni come centrali elettriche portatili, sistemi di accumulo di energia solare e alimentatori industriali bidirezionali, dove ogni punto percentuale di efficienza e ogni centimetro cubo di spazio contano.

Progettato con tecnologia GaN avanzata

Il progetto di riferimento sfrutta una topologia avanzata "Totem-Pole PFC + Isolated Full-Bridge LLC", resa possibile dalle capacità di commutazione rapida dei FET GaN di GL Chips. I dispositivi chiave includono ilINN650TA030C(650V, 26mΩ) per lo stadio PFC e ilINN650TA050C(650 V, 50 mΩ) per lo stadio LLC, operante rispettivamente a 65 kHz e 200 kHz.

Rispetto ai tradizionali MOSFET a base di silicio, la tecnologia GaN di GL Chips offre vantaggi decisivi:

• Carica di gate estremamente bassa (Qg): Riduce le perdite di commutazione e di driver.

• Recupero inverso zero (Qrr)Consente un funzionamento altamente efficiente in modalità di conduzione continua (CCM) con PFC totem-pole, una sfida per il silicio.

• Capacità di uscita inferiore (Coss)Riduce al minimo i tempi morti e consente un funzionamento a frequenza più elevata.

Queste caratteristiche sono fondamentali per raggiungere l'efficienza e la densità di potenza da record del progetto.

Supporto completo alla progettazione per una rapida adozione sul mercato.

GL Chips fornisce un'ampia documentazione per accelerare i cicli di progettazione dei clienti, incluso un manuale dimostrativo dettagliato con:

• Schema completo e distinta base (BOM).

• Linee guida per la progettazione del PCB al fine di ottimizzare le prestazioni termiche e di compatibilità elettromagnetica (EMI).

• Principali considerazioni di progettazione per la gestione termica e il pilotaggio del gate in GaN.

• Risultati completi dei test, incluse curve di efficienza e immagini termiche a pieno carico.

Applicazioni di destinazione:

• Sistemi portatili di accumulo di energia

• Inverter solari e microinverter

• Alimentatori bidirezionali CA-CC

• Sistemi di alimentazione industriali

Disponibilità

Il progetto di riferimento del convertitore bidirezionale INNDAD3K0A1 da 2 kW è ora disponibile per la valutazione e la concessione in licenza. Per ulteriori informazioni e per richiedere il manuale dimostrativo, visitare il sito web di GL Chips.

Informazioni sui chip GL:

GL Chips è un produttore e fornitore leader di semiconduttori di potenza ad alte prestazioni, soluzioni a radiofrequenza (RF) all'avanguardia e sensori MEMS e inerziali ad alta fedeltà. L'azienda si impegna a fornire tecnologie robuste e innovative che alimenteranno i sistemi critici del futuro, dall'elettronica di consumo al settore aerospaziale e della difesa.