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INN040FQ043A: Transistor di potenza GaN a modo avanzato da 40 V

L'INN040FQ043A è un transistor E-HEMT (Enhanced Electron Mobility Transistor) al nitruro di gallio (GaN) da 40 V all'avanguardia, progettato per rivoluzionare l'efficienza e la densità di conversione di potenza. Realizzato su una piattaforma GaN-on-Si avanzata da 8 pollici e alloggiato in un package FCQFN compatto da 4x3 mm, questo transistor offre prestazioni eccezionali per le applicazioni più esigenti.

    Descrizione del prodotto

    L'INN040FQ043A è un transistor E-HEMT (Enhanced Electron Mobility Transistor) al nitruro di gallio (GaN) da 40 V all'avanguardia, progettato per rivoluzionare l'efficienza e la densità di conversione di potenza. Realizzato su una piattaforma GaN-on-Si avanzata da 8 pollici e alloggiato in un package FCQFN compatto da 4x3 mm, questo transistor offre prestazioni eccezionali per le applicazioni più esigenti.

    Grazie a una combinazione estremamente bassa di resistenza di conduzione e carica di gate, l'INN040FQ043A consente frequenze di commutazione significativamente più elevate e perdite ridotte rispetto ai tradizionali MOSFET a base di silicio. Ciò permette ai progettisti di realizzare soluzioni di alimentazione più piccole, più efficienti e con temperature di esercizio inferiori.

    Caratteristiche principali e specifiche

    Parametro

    Valore

    Condizione

    Tensione drain-source (VDS)

    40V

    Massimo

    Corrente di drenaggio continua (ID)

    -

    -

    Corrente di drenaggio pulsata (IDM)

    160 A

    -

    Resistenza attiva (RDS(on))

    4,3 mΩ

    Max @ VGS = 5V

    Costo totale del cancello (QG)

    6,2 nC

    Tip @ VDS = 20V

    Costo di uscita (QOSS)

    14 nC

    Tip @ VDS = 20V

    Capacità di ingresso (CISS)

    -

    -

    Tempo di salita del nodo di commutazione

    -

    -

    Tempo di caduta del nodo di commutazione

    -

    -

    Pacchetto

    FCQFN

    4 mm x 3 mm

    Applicazioni target

    Convertitori DC-DC ad alta frequenza e moduli Point-of-Load (POL)
    Caricabatterie da auto da 150 W e adattatori per notebook
    Tracciamento dell'inviluppo RF
    Power Bank (caricabatterie per cellulari)
    Sistemi di azionamento motore
    Gestione dell'alimentazione del Tablet PC

    1

    Affidabilità e robustezza comprovate

    Il modello INN040FQ043A ha superato una serie completa di test di qualificazione JEDEC senza riscontrare alcun problema, garantendo la massima affidabilità per i vostri prodotti finali.

    √ HTRB/LTRB: Superamento alle ore 10:00
    √ HTGB/LTGB: Superato a VGS=+6V/-4V, 1000 ore
    √ H3TRB/HAST/uHAST: Superato a 85%/85%UR e 130°C/85%UR
    √ Ciclo termico (TC): Passaggio, 1000 cicli (da -40 °C a +125 °C)
    √ Test dinamico della durata di vita (DHTOL): Passare in un convertitore Buck da 1,2 MHz a Tj=125 °C per 1000 ore
    √ Classificazione ESD: HBM Classe 1B, CDM Classe 2a

    Design di riferimento Buck-Boost da 150 W

    Un progetto di riferimento collaudato dimostra le capacità dell'INN040FQ043A in un'applicazione di caricabatterie ad alta potenza per auto/notebook:

    √ Topologia: Buck-Boost
    Efficienza massima: 98,1% (a VIN=24V, VOUT=19,2V/6A, Fsw=600kHz)
    √ Frequenza regolabile: Da 400 kHz a 1200 kHz
    √ Ampio intervallo di tensione di uscita: Da 3,3 V a 19,2 V

    Ciò dimostra le sue prestazioni superiori nella creazione di alimentatori compatti ad alta potenza.

    Perché scegliere l'INN040FQ043A?

    √ Maggiore densità di potenza: Componenti magnetici e condensatori di dimensioni ridotte grazie al funzionamento ad alta frequenza.
    √ Funzionamento del refrigeratore: Le perdite RDS(on) e di commutazione estremamente basse riducono al minimo la generazione di calore.
    √ Massima affidabilità: Test di qualificazione approfonditi garantiscono un funzionamento affidabile anche in ambienti difficili.
    √ Fattore di forma compatto: Il piccolo package FCQFN consente di risparmiare spazio prezioso sul PCB.

    Parole chiave: FET GaN da 40 V, transistor GaN, convertitore di potenza ad alta efficienza, datasheet INN040FQ043A, GaN vs MOSFET, progettazione di convertitori DC-DC, progettazione di caricabatterie USB-PD, adattatore da 150 W, GaN per applicazioni automobilistiche, circuito integrato per azionamento motori, circuito integrato per gestione dell'alimentazione, package FCQFN, commutazione ad alta frequenza, MOSFET a bassa RDS(on), transistor a bassa carica di gate.