Leave Your Message
उत्पाद श्रेणियाँ
विशेष रुप से प्रदर्शित प्रोडक्टस
01

INN040FQ043A: 40V उन्नत-मोड GaN पावर ट्रांजिस्टर

INN040FQ043A एक अत्याधुनिक 40V गैलियम नाइट्राइड (GaN) एन्हांस्ड-मोड हाई इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी ट्रांजिस्टर (E-HEMT) है, जिसे पावर रूपांतरण दक्षता और घनत्व में क्रांतिकारी बदलाव लाने के लिए डिज़ाइन किया गया है। उन्नत 8-इंच GaN-ऑन-Si प्लेटफॉर्म पर निर्मित और कॉम्पैक्ट FCQFN 4x3mm पैकेज में उपलब्ध यह ट्रांजिस्टर सबसे चुनौतीपूर्ण अनुप्रयोगों के लिए असाधारण प्रदर्शन प्रदान करता है।

    उत्पाद विवरण

    INN040FQ043A एक अत्याधुनिक 40V गैलियम नाइट्राइड (GaN) एन्हांस्ड-मोड हाई इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी ट्रांजिस्टर (E-HEMT) है, जिसे पावर रूपांतरण दक्षता और घनत्व में क्रांतिकारी बदलाव लाने के लिए डिज़ाइन किया गया है। उन्नत 8-इंच GaN-ऑन-Si प्लेटफॉर्म पर निर्मित और कॉम्पैक्ट FCQFN 4x3mm पैकेज में उपलब्ध यह ट्रांजिस्टर सबसे चुनौतीपूर्ण अनुप्रयोगों के लिए असाधारण प्रदर्शन प्रदान करता है।

    ऑन-रेज़िस्टेंस और गेट चार्ज के बेहद कम संयोजन के साथ, INN040FQ043A पारंपरिक सिलिकॉन-आधारित MOSFETs की तुलना में काफी अधिक स्विचिंग फ्रीक्वेंसी और कम नुकसान को सक्षम बनाता है। इससे डिज़ाइनर छोटे, कम गर्म और अधिक कुशल पावर समाधान बना सकते हैं।

    मुख्य विशेषताएं और विशिष्टताएँ

    पैरामीटर

    कीमत

    स्थिति

    ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS)

    40V

    अधिकतम

    निरंतर ड्रेन करंट (आईडी)

    -

    -

    पल्स ड्रेन करंट (आईडीएम)

    160 ए

    -

    ऑन-रेसिस्टेंस (आरडीएस(ऑन))

    4.3 एमΩ

    अधिकतम @ VGS = 5V

    कुल गेट चार्ज (क्यूजी)

    6.2 एनसी

    टाइप @ VDS = 20V

    आउटपुट चार्ज (क्यूओएसएस)

    14 एनसी

    टाइप @ VDS = 20V

    इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएसएस)

    -

    -

    स्विच नोड राइज़ टाइम

    -

    -

    स्विच नोड फॉल टाइम

    -

    -

    पैकेट

    एफसीक्यूएफएन

    4 मिमी x 3 मिमी

    लक्षित अनुप्रयोग

    उच्च आवृत्ति डीसी-डीसी कन्वर्टर और प्वाइंट-ऑफ-लोड (पीओएल) मॉड्यूल
    150W कार चार्जर और नोटबुक एडेप्टर
    आरएफ लिफाफा ट्रैकिंग
    पावर बैंक (मोबाइल चार्जर)
    मोटर ड्राइव सिस्टम
    टैबलेट पीसी पावर प्रबंधन

    1

    सिद्ध विश्वसनीयता और मजबूती

    INN040FQ043A ने JEDEC के व्यापक योग्यता परीक्षणों को बिना किसी विफलता के सफलतापूर्वक पूरा कर लिया है, जिससे आपके अंतिम उत्पादों के लिए अधिकतम विश्वसनीयता सुनिश्चित होती है।

    √ एचटीआरबी/एलटीआरबी: पास @ 1000 बजे
    √ HTGB/LTGB: पास @ VGS=+6V/-4V, 1000 घंटे
    √ H3TRB/HAST/uHAST: 85%/85%RH और 130°C/85%RH पर पास
    √ तापमान चक्रण (टीसी): उत्तीर्ण, 1000 चक्र (-40°C से +125°C)
    √ डायनामिक लाइफटाइम टेस्ट (डीएचटीओएल): 1.2 मेगाहर्ट्ज बक कन्वर्टर में तापमान 125°C पर 1000 घंटे तक प्रवाह करें।
    √ ईएसडी रेटिंग: एचबीएम क्लास 1बी, सीडीएम क्लास 2ए

    150W बक-बूस्ट रेफरेंस डिज़ाइन

    एक सिद्ध संदर्भ डिजाइन उच्च-शक्ति वाले कार/नोटबुक चार्जर अनुप्रयोग में INN040FQ043A की क्षमताओं को प्रदर्शित करता है:

    √ टोपोलॉजी: हिरन बढ़ावा
    अधिकतम दक्षता: 98.1% (VIN=24V, VOUT=19.2V/6A, Fsw=600kHz पर)
    √ समायोज्य आवृत्ति: 400 किलोहर्ट्ज़ से 1200 किलोहर्ट्ज़ तक
    √ विस्तृत आउटपुट वोल्टेज रेंज: 3.3V से 19.2V

    यह कॉम्पैक्ट, उच्च-आउटपुट पावर सप्लाई बनाने में इसकी बेहतर क्षमता को दर्शाता है।

    INN040FQ043A को क्यों चुनें?

    √ उच्च शक्ति घनत्व: उच्च आवृत्ति संचालन के कारण छोटे चुंबक और संधारित्र।
    √ कूलर संचालन: अत्यंत कम RDS(on) और स्विचिंग हानियाँ ऊष्मा उत्पादन को न्यूनतम करती हैं।
    √ अधिकतम विश्वसनीयता: व्यापक योग्यता परीक्षण कठोर वातावरण में भी सुचारू संचालन सुनिश्चित करता है।
    √ कॉम्पैक्ट फॉर्म फैक्टर: छोटा FCQFN पैकेज पीसीबी पर बहुमूल्य स्थान बचाता है।

    कीवर्ड: 40V GaN FET, GaN ट्रांजिस्टर, उच्च दक्षता वाला पावर कन्वर्टर, INN040FQ043A डेटाशीट, GaN बनाम MOSFET, DC-DC कन्वर्टर डिज़ाइन, USB-PD चार्जर डिज़ाइन, 150W एडाप्टर, ऑटोमोटिव GaN, मोटर ड्राइव IC, पावर मैनेजमेंट IC, FCQFN पैकेज, उच्च आवृत्ति स्विचिंग, कम RDS(on) MOSFET, कम गेट चार्ज ट्रांजिस्टर।