GL Chips dévoile un convertisseur bidirectionnel de 2 kW à base de GaN, établissant une nouvelle référence en matière de densité de puissance et d'efficacité.

GL Chips dévoile un convertisseur bidirectionnel de 2 kW à base de GaN, établissant une nouvelle référence en matière de densité de puissance et d'efficacité.

Xi'an, ChineGL Chips, entreprise pionnière dans le domaine des semi-conducteurs de puissance avancés, annonce aujourd'hui la sortie de son prototype INNDAD3K0A1 : un convertisseur bidirectionnel de 2 kW et 48 V conçu pour les systèmes de stockage d'énergie portables et les systèmes d'alimentation industriels de nouvelle génération. Cette démonstration met en lumière les performances exceptionnelles de la technologie GaN (nitrure de gallium) de GL Chips, avec des rendements de pointe supérieurs à 96 % et une densité de puissance remarquable permettant la conception de systèmes plus compacts, plus puissants et plus efficaces.

Des performances inégalées pour les applications les plus exigeantes

La conception de référence INNDAD3K0A1 établit une nouvelle norme industrielle grâce à ses performances exceptionnelles :

• Rendement maximal de 96,1 %en mode redresseur (conversion AC vers DC).

• Rendement maximal de 96,0 %en mode onduleur (conversion CC vers CA).

• Densité de puissance élevée de 2,447 W/po³, obtenu avec une taille de PCBA compacte de 248 mm x 120 mm x 45 mm.

Cette combinaison de rendement élevé et de format compact est essentielle pour des applications telles que les centrales électriques portables, les systèmes de stockage d'énergie solaire et les alimentations industrielles bidirectionnelles, où chaque point de pourcentage d'efficacité et chaque pouce cube d'espace comptent.

Conçu avec la technologie GaN avancée

La conception de référence exploite une topologie avancée « PFC totem-pole + LLC en pont complet isolé », rendue possible par les capacités de commutation rapide des transistors GaN FET de GL Chips. Les composants clés comprennent :INN650TA030C(650 V, 26 mΩ) pour l'étage PFC et leINN650TA050C(650 V, 50 mΩ) pour l'étage LLC, fonctionnant respectivement à 65 kHz et 200 kHz.

Comparée aux MOSFET traditionnels à base de silicium, la technologie GaN de GL Chips offre des avantages décisifs :

• Charge de grille extrêmement faible (Qg): Réduit les pertes liées à la commutation et aux pilotes.

• Récupération inverse nulle (Qrr): Permet un fonctionnement très efficace en mode de conduction continue (CCM) dans un PFC totem-pole, un défi pour le silicium.

• Capacité de sortie inférieure (Coss): Réduit les temps morts et permet un fonctionnement à plus haute fréquence.

Ces caractéristiques sont fondamentales pour atteindre l'efficacité et la densité de puissance record de cette conception.

Assistance complète en matière de conception pour une adoption rapide par le marché

GL Chips fournit une documentation complète pour accélérer les cycles de conception de ses clients, notamment un manuel de démonstration détaillé comprenant :

• Schéma complet et nomenclature (BOM).

• Règles de conception des circuits imprimés pour des performances thermiques et électromagnétiques optimales.

• Principales considérations de conception pour le pilotage de la grille GaN et la gestion thermique.

• Résultats de tests complets, incluant les courbes d'efficacité et l'imagerie thermique en pleine charge.

Applications cibles :

• Systèmes de stockage d'énergie portables

• Onduleurs solaires et micro-onduleurs

• Alimentations bidirectionnelles AC-DC

• Systèmes d'alimentation industrielle

Disponibilité

Le convertisseur bidirectionnel de référence INNDAD3K0A1 de 2 kW est désormais disponible pour évaluation et licence. Pour plus d'informations et pour demander le manuel de démonstration, veuillez consulter le site web de GL Chips.

À propos des puces GL :

GL Chips est un fabricant et fournisseur de premier plan de semi-conducteurs de puissance haute performance, de solutions radiofréquences (RF) de pointe et de capteurs MEMS et inertiels haute fidélité. L'entreprise s'engage à fournir des technologies robustes et innovantes qui alimentent les systèmes critiques de demain, de l'électronique grand public à l'aérospatiale et à la défense.