INN040FQ043A : Transistor de puissance GaN 40 V en mode amélioré
Description des produits
L'INN040FQ043A est un transistor E-HEMT (transistor à haute mobilité électronique en mode amélioré) au nitrure de gallium (GaN) de 40 V de pointe, conçu pour révolutionner l'efficacité et la densité de conversion de puissance. Basé sur une plateforme GaN sur silicium de 8 pouces et logé dans un boîtier FCQFN compact de 4 x 3 mm, ce transistor offre des performances exceptionnelles pour les applications les plus exigeantes.
Grâce à une résistance à l'état passant et une charge de grille extrêmement faibles, l'INN040FQ043A permet des fréquences de commutation nettement supérieures et des pertes réduites par rapport aux MOSFET traditionnels à base de silicium. Les concepteurs peuvent ainsi créer des solutions d'alimentation plus compactes, plus performantes et plus économes en énergie.
Caractéristiques et spécifications principales
| Paramètre | Valeur | Condition |
| Tension drain-source (VDS) | 40V | Max |
| Courant de drain continu (ID) | - | - |
| Courant de drain pulsé (IDM) | 160 A | - |
| Résistance à l'état passant (RDS(on)) | 4,3 mΩ | Max @ VGS = 5V |
| Frais d'entrée totaux (QG) | 6,2 nC | Typ @ VDS = 20 V |
| Charge de sortie (QOSS) | 14 nC | Typ @ VDS = 20 V |
| Capacité d'entrée (CISS) | - | - |
| Temps de montée du nœud de commutation | - | - |
| Heure d'automne du nœud de commutation | - | - |
| Emballer | FCQFN | 4 mm x 3 mm |
Applications cibles
√Convertisseurs CC-CC haute fréquence et modules de point de charge (POL)
√Chargeurs de voiture et adaptateurs pour ordinateurs portables de 150 W
√Suivi d'enveloppe RF
√Batteries externes (chargeurs de téléphone portable)
√Systèmes d'entraînement de moteurs
√Gestion de l'alimentation des tablettes PC
Fiabilité et robustesse éprouvées
L'INN040FQ043A a passé une série complète de tests de qualification JEDEC sans aucun échec, garantissant une fiabilité maximale pour vos produits finaux.
√ HTRB/LTRB : Réussite à 1000 heures
√ HTGB/LTGB : Passage à VGS=+6V/-4V, 1000 heures
√ H3TRB/HAST/uHAST : Réussi à 85 %/85 % HR et à 130 °C/85 % HR
√ Cycles de température (TC) : Réussi, 1000 cycles (-40°C à +125°C)
√ Test de durée de vie dynamique (DHTOL) : Faire passer un convertisseur Buck de 1,2 MHz à Tj = 125 °C pendant 1000 heures
√ Indice de protection contre les décharges électrostatiques : Classe HBM 1B, Classe CDM 2a
Conception de référence Buck-Boost de 150 W
Une conception de référence éprouvée met en évidence les capacités de l'INN040FQ043A dans une application de chargeur haute puissance pour voiture/ordinateur portable :
√ Topologie : Boost de débit
√ Rendement maximal : 98,1 % (à VIN=24 V, VOUT=19,2 V/6 A, Fsw=600 kHz)
√ Fréquence réglable : 400 kHz à 1200 kHz
√ Large plage de tension de sortie : 3,3 V à 19,2 V
Cela démontre ses performances supérieures pour la création d'alimentations compactes à haut rendement.
Pourquoi choisir l'INN040FQ043A ?
√ Densité de puissance plus élevée : Composants magnétiques et condensateurs plus petits grâce au fonctionnement à haute fréquence.
√ Fonctionnement du refroidisseur : Les pertes RDS(on) et de commutation ultra-faibles minimisent la génération de chaleur.
√ Fiabilité maximale : Des tests de qualification approfondis garantissent un fonctionnement robuste même dans des environnements difficiles.
√ Format compact : Le petit boîtier FCQFN permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
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