GL Chips presenta un convertidor bidireccional de 2 kW basado en GaN, estableciendo un nuevo referente en densidad de potencia y eficiencia.
GL Chips presenta un convertidor bidireccional de 2 kW basado en GaN, estableciendo un nuevo referente en densidad de potencia y eficiencia.
Xi'an, ChinaGL Chips, empresa pionera en soluciones avanzadas de semiconductores de potencia, anunció hoy el lanzamiento de su innovador diseño de referencia INNDAD3K0A1: un convertidor bidireccional de 2 kW y 48 V diseñado para sistemas de almacenamiento de energía portátiles y sistemas de alimentación industrial de última generación. Esta demostración pone de manifiesto el rendimiento superior de la tecnología GaN (nitruro de galio) de GL Chips, que alcanza eficiencias máximas superiores al 96 % y una notable densidad de potencia que permite diseños más compactos, potentes y eficientes.
Rendimiento inigualable para aplicaciones exigentes.
El diseño de referencia INNDAD3K0A1 establece un nuevo estándar en la industria gracias a sus excepcionales métricas de rendimiento:
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Eficiencia máxima del 96,1%en modo rectificador (conversión de CA a CC).
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Eficiencia máxima del 96,0%en modo inversor (conversión de CC a CA).
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Alta densidad de potencia de 2,447 W/in³, logrado con un tamaño compacto de PCBA de 248 mm x 120 mm x 45 mm.
Esta combinación de alta eficiencia y formato compacto es fundamental para aplicaciones como centrales eléctricas portátiles, sistemas de almacenamiento de energía solar y fuentes de alimentación industriales bidireccionales, donde cada punto porcentual de eficiencia y cada pulgada cúbica de espacio cuentan.
Diseñado con tecnología GaN avanzada.
El diseño de referencia aprovecha una topología avanzada de "PFC de tótem + LLC de puente completo aislado", posible gracias a las capacidades de conmutación rápida de los FET de GaN de GL Chips. Los dispositivos clave incluyen:INN650TA030C(650 V, 26 mΩ) para la etapa PFC y laINN650TA050C(650 V, 50 mΩ) para la etapa LLC, que opera a 65 kHz y 200 kHz respectivamente.
En comparación con los MOSFET tradicionales basados en silicio, la tecnología GaN de GL Chips ofrece ventajas decisivas:
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Carga de puerta extremadamente baja (Qg)Reduce las pérdidas por conmutación y del controlador.
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Recuperación inversa cero (Qrr): Permite un funcionamiento altamente eficiente en el modo de conducción continua (CCM) del PFC tipo tótem, un desafío para el silicio.
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Capacitancia de salida más baja (Coss)Minimiza los tiempos muertos y permite un funcionamiento a mayor frecuencia.
Estas características son fundamentales para lograr la eficiencia y la densidad de potencia sin precedentes de este diseño.
Soporte integral de diseño para una rápida adopción en el mercado.
GL Chips proporciona una amplia documentación para acelerar los ciclos de diseño de los clientes, incluyendo un manual de demostración detallado con:
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Esquema completo y lista de materiales (BOM).
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Pautas de diseño de PCB para un rendimiento térmico y de EMI óptimo.
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Consideraciones clave de diseño para el control de la compuerta de GaN y la gestión térmica.
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Resultados exhaustivos de las pruebas, incluyendo curvas de eficiencia e imágenes térmicas a plena carga.
Aplicaciones objetivo:
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Sistemas portátiles de almacenamiento de energía
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Inversores solares y microinversores
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Fuentes de alimentación bidireccionales CA-CC
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Sistemas de energía industrial
Disponibilidad
El diseño de referencia del convertidor bidireccional INNDAD3K0A1 de 2 kW ya está disponible para su evaluación y licenciamiento. Para obtener más información y solicitar el manual de demostración, visite el sitio web de GL Chips.
Acerca de GL Chips:
GL Chips es un fabricante y proveedor líder de semiconductores de potencia de alto rendimiento, soluciones de radiofrecuencia (RF) de vanguardia y sensores MEMS e inerciales de alta fidelidad. La empresa se dedica a ofrecer tecnología robusta e innovadora que impulsa los sistemas críticos del futuro, desde la electrónica de consumo hasta la industria aeroespacial y de defensa.