GL Chips stellt einen bidirektionalen 2-kW-GaN-basierten Wandler vor, der neue Maßstäbe für Leistungsdichte und Effizienz setzt.

GL Chips stellt einen bidirektionalen 2-kW-GaN-basierten Wandler vor, der neue Maßstäbe für Leistungsdichte und Effizienz setzt.

Xi'an, ChinaGL Chips, ein Pionier im Bereich fortschrittlicher Leistungshalbleiterlösungen, hat heute sein bahnbrechendes Referenzdesign INNDAD3K0A1 vorgestellt: einen bidirektionalen 2-kW-48-V-Wandler, der für tragbare Energiespeicher und industrielle Stromversorgungssysteme der nächsten Generation entwickelt wurde. Diese Demonstration zeigt die überragende Leistung der GaN-Technologie (Galliumnitrid) von GL Chips mit Spitzenwirkungsgraden von über 96 % und einer bemerkenswerten Leistungsdichte, die kleinere, leistungsstärkere und effizientere Designs ermöglicht.

Unübertroffene Leistung für anspruchsvolle Anwendungen

Das Referenzdesign INNDAD3K0A1 setzt mit seinen außergewöhnlichen Leistungskennzahlen einen neuen Industriestandard:

• Maximaler Wirkungsgrad von 96,1 %im Gleichrichtermodus (Wechselstrom-Gleichstrom-Umwandlung).

• Maximaler Wirkungsgrad von 96,0 %im Wechselrichtermodus (Gleichstrom-Wechselstrom-Wandlung).

• Hohe Leistungsdichte von 2,447 W/in³Dies wurde mit einer kompakten PCBA-Größe von 248 mm x 120 mm x 45 mm erreicht.

Diese Kombination aus hoher Effizienz und kompakter Bauform ist entscheidend für Anwendungen wie tragbare Stromstationen, Solarenergiespeichersysteme und bidirektionale industrielle Stromversorgungen, bei denen jeder Prozentpunkt Effizienz und jeder Kubikzoll Platz zählt.

Hergestellt mit fortschrittlicher GaN-Technologie

Das Referenzdesign nutzt eine fortschrittliche „Totem-Pole PFC + Isolated Full-Bridge LLC“-Topologie, die durch die schnellen Schaltfähigkeiten der GaN-FETs von GL Chips ermöglicht wird. Zu den wichtigsten Bauelementen gehören dieINN650TA030C(650 V, 26 mΩ) für die PFC-Stufe und dieINN650TA050C(650 V, 50 mΩ) für die LLC-Stufe, die mit 65 kHz bzw. 200 kHz arbeitet.

Im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten MOSFETs bietet die GaN-Technologie von GL Chips entscheidende Vorteile:

• Extrem niedrige Gate-Ladung (Qg): Reduziert Schalt- und Treiberverluste.

• Zero Reverse Recovery (Qrr): Ermöglicht einen hocheffizienten Betrieb im kontinuierlichen Leitungsmodus (CCM) Totem-Pole-PFC, eine Herausforderung für Silizium.

• Niedrigere Ausgangskapazität (Coss)Minimiert den Bedarf an Totzeiten und ermöglicht den Betrieb mit höheren Frequenzen.

Diese Eigenschaften sind von grundlegender Bedeutung für die Erzielung der rekordverdächtigen Effizienz und Leistungsdichte des Designs.

Umfassende Designunterstützung für eine schnelle Markteinführung

GL Chips stellt eine umfangreiche Dokumentation zur Verfügung, um die Designzyklen der Kunden zu beschleunigen, einschließlich eines ausführlichen Demo-Handbuchs mit:

• Vollständiger Schaltplan und Stückliste (BOM).

• Richtlinien für das Leiterplattenlayout zur Optimierung der thermischen und EMV-Leistung.

• Wichtige Designüberlegungen für die Ansteuerung von GaN-Gates und das Wärmemanagement.

• Umfassende Testergebnisse, einschließlich Wirkungsgradkurven und Wärmebildaufnahmen unter Volllast.

Zielanwendungen:

• Tragbare Energiespeichersysteme

• Solarwechselrichter und Mikro-Wechselrichter

• Bidirektionale AC/DC-Netzteile

• Industrielle Stromversorgungssysteme

Verfügbarkeit

Das Referenzdesign des bidirektionalen 2-kW-Wandlers INNDAD3K0A1 steht ab sofort zur Evaluierung und Lizenzierung bereit. Weitere Informationen und das Demohandbuch finden Sie auf der Website von GL Chips.

Über GL Chips:

GL Chips ist ein führender Hersteller und Lieferant von Hochleistungs-Leistungshalbleitern, innovativen Hochfrequenzlösungen (HF) sowie hochpräzisen MEMS- und Inertialsensoren. Das Unternehmen hat sich der Entwicklung robuster, innovativer Technologien verschrieben, die die kritischen Systeme von morgen antreiben – von Unterhaltungselektronik bis hin zu Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung.