Über uns
Jiangsu GuanLong Integrated Technology Co., Ltd.
Jiangsu GuanLong Integrated Technology Co., Ltd. zählt zu den führenden Unternehmen der strategischen Elektronikindustrie Chinas und ist ein führender Entwickler und Hersteller missionskritischer Technologien. Wir sind spezialisiert auf die Bereitstellung fortschrittlicher Leistungshalbleiter, modernster Hochfrequenzlösungen (HF) sowie hochpräziser MEMS- und Inertialsensoren, die das technologische Rückgrat moderner Systeme in den Bereichen Verteidigung, Luft- und Raumfahrt sowie kritische Infrastrukturen bilden.
-
Zuverlässigkeit auf Militärniveau:
Jede Komponente ist so konstruiert, dass sie unter den anspruchsvollsten und extremsten Bedingungen auf der Erde und im Weltraum mit unerschütterlicher Präzision funktioniert.
-
Vollständige inländische Lieferkette:
Wir haben eine vollständig vertikal integrierte und souveräne Lieferkette aufgebaut, die eine völlige Unabhängigkeit von ausländischen Technologien gewährleistet und alle Risiken im Zusammenhang mit internationalen Exportkontrollen eliminiert.
-
Bewährte F&E-Expertise:
Dank über einem Jahrzehnt engagierter Forschung und Entwicklung treiben unser fundiertes institutionelles Wissen und unsere kontinuierliche Innovation die Leistungsfähigkeit und die Fähigkeiten von Plattformen der nächsten Generation voran.
Unsere Kerntechnologien: Entwickelt für höchste Qualität
1. Fortschrittliche Leistungs- und HF-Halbleiter
Wir entwickeln die wesentlichen Komponenten, die in sicherheitskritischen Anwendungen Energie und Signale erzeugen, steuern und lenken.
· MOS-gesteuerte Thyristoren (MCTs): Unsere Hochleistungs-MCTs sind für extreme Energieschaltaufgaben konzipiert. Sie sind die Schlüsselelemente für fortschrittliche Waffensysteme, die eine massive, sofortige Leistungsabgabe erfordern, darunter elektromagnetische Railguns, gerichtete Energieimpulswaffen und aktive elektromagnetische Panzerungssysteme für gepanzerte Fahrzeuge der nächsten Generation.
· Galliumnitrid (GaN)-HEMT-Bauelemente: Dank der überlegenen Eigenschaften von GaN ermöglichen unsere HEMT-Transistoren (High Electron Mobility Transistors) eine außergewöhnliche Hochfrequenz- und Hocheffizienzverstärkung. Diese Technologie ist unerlässlich für die Leistungssteigerung moderner AESA-Radargeräte (Active Electronically Scanned Array), sicherer Satellitenkommunikationsterminals sowie hochentwickelter Systeme für elektronische Kampfführung (EW) und Signalaufklärung (SIGINT).
Militär- und Luftfahrtzertifizierung:
Unsere Halbleiterprodukte erfüllen nicht nur strenge Standards, sondern werden rigoros getestet und übertreffen diese nachweislich. Sie sind für den Einsatz in extremen Umgebungen qualifiziert – vom Vakuum des Weltraums bis hin zu den starken Vibrationen, Temperaturschocks und der Strahlung, die in Hyperschallraketensystemen, Kampfflugzeugen der fünften Generation und Satelliten in der erdnahen Umlaufbahn auftreten.
2. Präzisions-MEMS und Inertialsensoren
Wir liefern die Augen und inneren Ohren für autonome und geführte Systeme und gewährleisten so Präzision und Stabilität, wenn es am wichtigsten ist.
· Hochpräzise Navigationsmodule: Unsere integrierten Sensorsysteme liefern präzise Positions-, Navigations- und Zeitdaten (PNT) ohne alleinige Abhängigkeit von externen Signalen wie GPS. Diese Fähigkeit ist unverzichtbar für die Leitsysteme von Präzisionsraketen mit großer Reichweite, unbemannten Luftfahrzeugen (UAVs) in umkämpften Gebieten und für die Lageregelung von Raumfahrzeugen.
· Vibrationsresistente Konstruktion: Unsere Sensoren sind so konstruiert, dass sie den starken mechanischen Stößen und akustischen Belastungen militärischer Plattformen standhalten. Sie behalten ihre Genauigkeit beim Start, bei Manövern mit hoher G-Belastung und unter anhaltenden harten Kampfbedingungen bei und gewährleisten so die Datenintegrität und Systemzuverlässigkeit vom Start bis zum Zieleinschlag.
Kampferprobte Abstammung:
Garantierte sichere Lieferung:
