شركة GL Chips تكشف النقاب عن محول ثنائي الاتجاه بقدرة 2 كيلو واط قائم على تقنية GaN، مما يضع معياراً جديداً لكثافة الطاقة والكفاءة.

شركة GL Chips تكشف النقاب عن محول ثنائي الاتجاه بقدرة 2 كيلو واط قائم على تقنية GaN، مما يضع معياراً جديداً لكثافة الطاقة والكفاءة.

شيان، الصينأعلنت شركة GL Chips، الرائدة في حلول أشباه الموصلات المتقدمة للطاقة، اليوم عن إطلاق تصميمها المرجعي المبتكر INNDAD3K0A1: محول ثنائي الاتجاه بقدرة 2 كيلوواط وجهد 48 فولت، مصمم خصيصًا لأنظمة تخزين الطاقة المحمولة وأنظمة الطاقة الصناعية من الجيل التالي. يُبرز هذا العرض التوضيحي الأداء المتميز لتقنية GaN (نيتريد الغاليوم) من GL Chips، حيث يحقق كفاءة قصوى تتجاوز 96% وكثافة طاقة استثنائية تُمكّن من تصميمات أصغر حجمًا وأكثر قوة وكفاءة.

أداء لا مثيل له للتطبيقات الصعبة

يضع التصميم المرجعي INNDAD3K0A1 معيارًا صناعيًا جديدًا بفضل مقاييس الأداء الاستثنائية التي يتميز بها:

• كفاءة قصوى تبلغ 96.1%في وضع المقوم (تحويل التيار المتردد إلى تيار مستمر).

• كفاءة قصوى تبلغ 96.0%في وضع العاكس (تحويل التيار المستمر إلى تيار متردد).

• كثافة طاقة عالية تبلغ 2.447 واط/بوصة مكعبة، تم تحقيق ذلك بحجم لوحة الدوائر المطبوعة المدمجة 248 مم × 120 مم × 45 مم.

يُعد هذا المزيج من الكفاءة العالية والحجم الصغير أمرًا بالغ الأهمية لتطبيقات مثل محطات الطاقة المحمولة وأنظمة تخزين الطاقة الشمسية ومصادر الطاقة الصناعية ثنائية الاتجاه، حيث أن كل نقطة مئوية من الكفاءة وكل بوصة مكعبة من المساحة لها أهميتها.

مصمم بتقنية GaN المتقدمة

يعتمد التصميم المرجعي على بنية "Totem-Pole PFC + Isolated Full-Bridge LLC" المتقدمة، والتي أصبحت ممكنة بفضل قدرات التبديل السريع لترانزستورات GaN FET من GL Chips. وتشمل الأجهزة الرئيسية ما يلي:INN650TA030C(650 فولت، 26 ملي أوم) لمرحلة تصحيح معامل القدرة وINN650TA050C(650 فولت، 50 ملي أوم) لمرحلة LLC، تعمل بتردد 65 كيلو هرتز و200 كيلو هرتز على التوالي.

بالمقارنة مع ترانزستورات MOSFET التقليدية القائمة على السيليكون، توفر تقنية GaN من GL Chips مزايا حاسمة:

• شحنة بوابة منخفضة للغاية (Qg)يقلل من خسائر التبديل وفقدان الطاقة في برامج التشغيل.

• استرداد عكسي صفري (Qrr): يُمكّن من التشغيل عالي الكفاءة في وضع التوصيل المستمر (CCM) لتصحيح معامل القدرة ذي القطبين، وهو تحدٍ للسيليكون.

• سعة الخرج المنخفضة (Coss)يقلل من متطلبات وقت التوقف ويتيح التشغيل بتردد أعلى.

تُعد هذه الخصائص أساسية لتحقيق الكفاءة وكثافة الطاقة القياسية للتصميم.

دعم تصميم شامل لتبني السوق بسرعة

توفر شركة GL Chips وثائق شاملة لتسريع دورات تصميم العملاء، بما في ذلك دليل عرض توضيحي مفصل يتضمن ما يلي:

• مخطط كامل وقائمة المواد (BOM).

• إرشادات تصميم لوحة الدوائر المطبوعة لتحقيق الأداء الأمثل من حيث الحرارة والتداخل الكهرومغناطيسي.

• اعتبارات التصميم الرئيسية لتشغيل بوابة GaN والإدارة الحرارية.

• نتائج اختبار شاملة، بما في ذلك منحنيات الكفاءة والتصوير الحراري تحت الحمل الكامل.

التطبيقات المستهدفة:

• أنظمة تخزين الطاقة المحمولة

• محولات الطاقة الشمسية والمحولات الدقيقة

• وحدات تزويد الطاقة ثنائية الاتجاه AC-DC

• أنظمة الطاقة الصناعية

التوافر

يتوفر الآن تصميم INNDAD3K0A1 المرجعي للمحول ثنائي الاتجاه بقدرة 2 كيلوواط للتقييم والترخيص. لمزيد من المعلومات ولطلب دليل العرض التوضيحي، يرجى زيارة موقع GL Chips الإلكتروني.

حول رقائق GL:

تُعدّ شركة GL Chips شركة رائدة في تصنيع وتوريد أشباه الموصلات عالية الأداء، وحلول الترددات الراديوية المتطورة، وأجهزة الاستشعار الكهروميكانيكية الدقيقة (MEMS) وأجهزة الاستشعار بالقصور الذاتي عالية الدقة. وتلتزم الشركة بتقديم تكنولوجيا متينة ومبتكرة تدعم الأنظمة الحيوية للمستقبل، بدءًا من الإلكترونيات الاستهلاكية وصولًا إلى صناعات الطيران والدفاع.